近日，我校电子信息学院集成电路与系统EDA团队的研究成果《A Compact 26/38GHz-Reconfigurable Dual-Band Low-Noise Amplifier Using Transformer-Based Pole-Zero-Inversion Image-Rejection Technique Achieving >39/41dB IRR for 5G Multi-Band Applications》，成功被集成电路设计领域顶级会议ISSCC 2026接收。杭州电子科技大学为该论文唯一完成单位，第一作者为23级硕士研究生罗佳明，通信作者为文进才教授。
当前，高速率无线通信系统的迭代升级，对支持毫米波多频段通信的高性能收发前端芯片提出了严苛要求。现有宽带接收机方案存在宽本振信号源需求、复杂IQ混频架构等问题，且实现的接收机芯片面积和功耗较高。针对上述挑战，论文研究提出零极点反置镜像抑制变压器结构，通过切换线圈组开关构建双频模式下的极点和零点反置与对齐，从而高效抑制互为镜像信号的双频信号。经实测验证，设计的双频低噪声放大器（LNA）芯片在26/38GHz频段和6GHz中频下分别实现了超过20dB和19dB的增益、3.5dB和3.9dB的噪声系数（NF）以及超过39dB和41dB的镜像抑制比（IRR）。所提出的双频LNA可以与非IQ下混频器连接实现双频接收机电路，相比传统IQ架构可显著降低接收机的设计复杂度和芯片面积。
该芯片成果受邀在会议成果演示（Demonstration）环节同步展出。研究生罗佳明、吴瑜瑕围绕芯片设计方案、技术特点与应用价值，同参会专家、学者及业界人士展开深入交流与研讨，相关工作获得了广泛认可与好评。
ISSCC全称为IEEE国际固态电路会议（IEEE International Solid-State Circuits Conference），是由IEEE固态电路学会主办的国际集成电路设计领域最高级别学术会议，被业界称为“芯片设计国际奥林匹克会议”，该会议每年2月在美国旧金山召开，入选成果代表当年度全球芯片技术领先水平，历史上首次披露了多项集成电路里程碑技术，包括1968年第一个集成模拟放大器芯片、1974年首个8位微处理器芯片、1995年1Gb内存DRAM芯片及2005年首个多核处理器芯片等。
