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日本广岛大学Mitiko教授应邀来校作学术报告
作者： 来源：电子信息学院 时间：2013-06-20
6月18日，应电子信息学院邀请，日本广岛大学Mitiko Miura-Mattausch教授来校作了题为“Surface-Potential-Based MOSFET Modeling Valid for Accurate RF Circuit Simulation”的学术报告。
Mitiko教授的报告，对MOSFET晶体管紧凑模型的发展过程、当前和未来MOSFET晶体管模型的研究趋势，作了详细介绍和分析。报告会结束后，Mitiko教授与师生们进行了互动交流，认真解答了大家提出的问题。
Mitiko教授是IEEE Fellow，在纳米尺寸MOSFET晶体管建模方面颇有建树，在IEEE Trans. ED，APL等国际著名期刊上发表多篇重要论文，并著有《The Physics And Modeling of Mosfets: Surface-potential Model Hisim》《Circuit-Simulation Technics and MOSFET Modeling》和《Ultra-Fast Silicon Bipolar Technology》等学术专著。（电子信息学院）
